功能描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：950pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：5,000

BSZ058N03LS

BSZ058N03LS G

BSZ058N03LSG

BSZ058N03MS G

BSZ058N03MSG

BSZ060NE2LS

BSZ065N03LS

BSZ067N06LS3

BSZ067N06LS3 G

BSZ067N06LS3G